功率電晶體 超接合面MOSFET

超接合面MOSFET
功率電晶體的特長與定位 首先來看近年來的主要功率電晶體Si-MOSFET，IGBT，SiC-MOSFET的功率與頻率範圍。因為接下來的幾篇將談超接合面MOSFET相對的話題，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基礎上，根據其特長和特性對使用區分有個初步印象。

5G需求旺！RF/微波放大器夯 明年功率電晶體料重回成長
疫情危機下，功率電晶體(power transistor)的市場榮景無以為繼，估計今年營收將減7%，但是明年就會恢復成長，後年銷售更有望再創歷史新高。IC Insights 23日新聞稿稱(見此)，全球功率電晶體業績連續三年改寫空前紀錄後，預料2020年銷售將衰退7%，主要是受到全球疫情危機拖累，但是明年此一市場就會

增強型氮化鎵 功率電晶體技術
 · PDF 檔案增強型氮化鎵（eGaN®) 電晶體及積體電路 氮化鎵電晶體是一種寬頻隙元件，與傳統矽電晶體相比，由於具有 卓越的傳導性能，因此在相同的導通電阻(RDS(on))條件下，可實現更 小尺寸及更低電容。在開關應用中，增強型(常閉型)的工作模式讓功率設計師可發揮

【產業】泡沫式增長後，功率電晶體銷售額再創新高
報告稱，2018年場效應電晶體(包括用於模組系統的電晶體)佔總功率電晶體銷量的58%。 2018年，IGBT產品(模組和分立電晶體)佔功率電晶體銷量的32%。 在2017年和2018年兩年兩位數的增長泡沫之後，預計未來五年內功率電晶體市場將恢復到個位數正常增長，當然OSD報告也預測了2020年將下降2％。

研究生：楊益泉 指導教授：吳耀銓 教授
 · PDF 檔案與功率雙極性電晶體(Power Bipolar Transistor)相比，功率金氧半場效電晶 體只具有單一載子，沒有少數載子存儲的缺點，故具有切換速度非常快的 優點[1-3]。所以，功率金氧半場效電晶體已成為高頻低壓(<200V)功率元件的 主流。功率金氧半場效電晶體的構造

認識電晶體 Datasheet 及電晶體代換
TO-3：大功率電晶體，若有適當的散熱，可承受功率在 250W 左右。 為電晶體安裝散熱片時，散熱片的厚度要儘量厚，如此才能很快的將熱往外擴散，而散熱鰭片遠端的邊際效應降低很快，所以鰭片多而短勝過少而長。 電晶體腳位與判定方法

確認平均功耗在額定功率範圍內
平均功耗是通過電晶體從關斷轉為導通（t1－t2），導通期間（t2－t3），從導通轉為關斷（t3－t4），關斷期間（t4－t5）的各電壓與電流的積，即將功率按時間積分後的值相加並除以週期（T）來計算的。請參考下圖和公式。

〈分析〉功率半導體需求看5G及電動車 陸廠競爭力不足
IC Insights：功率電晶體銷售額 可望再創新高 意見回饋 我要投稿 電腦版 著作權 意見與回饋 關於我們 集團簡介 廣告服務 金融資訊元件 聯絡我們 徵

瑞穗：2021 年半導體股續飆，點名車用晶片，5G 首選個股
預料到 2024 年為止，RF／微波功率電晶體的銷售增幅，將持續傲視整體功率電晶體 市場。 O-S-D 報告預測，2021 年 RF／微波產品的銷售將增 9% 至 13 億美元；40 伏特以下的低壓功率場效電晶體（low-voltage power field-effect

SiC功率元件 電動車明日之星
看好SiC功率元件市場在電動車及5G應用上的優勢及成長爆發力，包括英飛凌（Infineon），羅姆（ROHM）等IDM大廠積極布局，全球SiC相關IC設計公司興起